Comprar IXTY15N20T con BYCHPS
Compre con garantía
IXTY15N20T
- Número de pieza:
- IXTY15N20T
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 15A TO-252
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17920 Pieces
- Ficha de datos:
- IXTY15N20T.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTY15N20T, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTY15N20T por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-252, (D-Pak) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | - |
| La disipación de energía (máximo): | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IXTY15N20T |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 15A (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXTY15N20T
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTY15P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 15A TO-252 | Investigación |
|
IXTY1N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 | Investigación |
|
IXTY12N06TTRL | IXYS | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | Investigación |
|
IXTY1N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA | Investigación |
|
IXTY12N06T | IXYS | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | Investigación |
|
IXTY1R4N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK | Investigación |
 |
NTLJS4159NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN | Investigación |
|
IXTY1R6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | Investigación |
|
IXTY18P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 | Investigación |
|
IXTY1R6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | Investigación |
|
IXTY1R6N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | Investigación |
|
IXTY1R4N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 | Investigación |
|
IXTY1R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 | Investigación |
|
IXTY1N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 | Investigación |
 |
NVMFS6B03NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL | Investigación |
|
IXTY10P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 | Investigación |
|
IXTY1N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 | Investigación |
 |
IXTK22N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264 | Investigación |
 |
IRFI4905 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 41A TO-220FP | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog