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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTY1R4N60P
IXTY1R4N60P
Número de pieza:
IXTY1R4N60P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17279 Pieces
Ficha de datos:
IXTY1R4N60P.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 25µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252, (D-Pak)
Serie:PolarHV™
RDS (Max) @Id, Vgs:9 Ohm @ 700mA, 10V
La disipación de energía (máximo):50W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTY1R4N60P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:140pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.4A (Tc)
Email:[email protected]

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