Comprar IXTY1R4N100P con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 50µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-252, (D-Pak) |
Serie: | Polar™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 11 Ohm @ 500mA, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 63W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IXTY1R4N100P |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 450pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 17.8nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 1000V (1kV) 1.4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1000V (1kV) |
Descripción: | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |