español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTY1R6N100D2
IXTY1R6N100D2
Número de pieza:
IXTY1R6N100D2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19260 Pieces
Ficha de datos:
IXTY1R6N100D2.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTY1R6N100D2, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTY1R6N100D2 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXTY1R6N100D2 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 Ohm @ 800mA, 0V
La disipación de energía (máximo):100W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTY1R6N100D2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:645pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:27nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Depletion Mode
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXTY1R6N100D2

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXTY1N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 Investigación
IXTY1R4N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 Investigación
FDM15-06KC5 IXYS MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5 Investigación
IXTY1N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 Investigación
IXTY18P10T IXYS MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 Investigación
IXTY1R4N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 Investigación
IXTY1R4N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK Investigación
IXTY1R6N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK Investigación
IXTY10P15T IXYS MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 Investigación
IXTY1N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA Investigación
IXTY1R6N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK Investigación
AUIRFR3806TRL Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 43A DPAK Investigación
IXTY15P15T IXYS MOSFET P-CH 150V 15A TO-252 Investigación
IXTY12N06T IXYS MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 Investigación
IXTY15N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 Investigación
IXTY12N06TTRL IXYS MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 Investigación
IXTY1N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 Investigación
AON7466 Image AON7466 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH Investigación

Latest Noticias