IXTK22N100L
IXTK22N100L
Número de pieza:
IXTK22N100L
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12711 Pieces
Ficha de datos:
IXTK22N100L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-264 (IXTK)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:600 mOhm @ 11A, 20V
La disipación de energía (máximo):700W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXTK22N100L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7050pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:270nC @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 22A (Tc) 700W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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