Comprar IRLHM630TRPBF con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 1.1V @ 50µA |
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Vgs (Max): | ±12V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PQFN (3x3) |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo): | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-VQFN Exposed Pad |
Otros nombres: | IRLHM630TRPBF-ND IRLHM630TRPBFTR SP001568974 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IRLHM630TRPBF |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3170pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 62nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 21A (Ta), 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |