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SPN02N60C3 E6433
- Número de pieza:
- SPN02N60C3 E6433
- Descripción:
- MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14888 Pieces
- Ficha de datos:
- SPN02N60C3 E6433.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SPN02N60C3 E6433, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SPN02N60C3 E6433 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.9V @ 80µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.8W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres: | SP000101883 SPN02N60C3E6433XT |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SPN02N60C3 E6433 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 650V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 400mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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