IRLHM630TR2PBF
IRLHM630TR2PBF
Número de pieza:
IRLHM630TR2PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14158 Pieces
Ficha de datos:
IRLHM630TR2PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.1V @ 50µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PQFN (3x3)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.7W (Ta), 37W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-VQFN Exposed Pad
Otros nombres:IRLHM630TR2PBFDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRLHM630TR2PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3170pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:62nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:21A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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