NTB75N03R
NTB75N03R
Número de pieza:
NTB75N03R
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12509 Pieces
Ficha de datos:
NTB75N03R.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:NTB75N03ROS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTB75N03R
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1333pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 9.7A (Ta), 75A (Tc) 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.7A (Ta), 75A (Tc)
Email:[email protected]

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