FDB6030L
FDB6030L
Número de pieza:
FDB6030L
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12207 Pieces
Ficha de datos:
FDB6030L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D²PAK (TO-263AB)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:13 mOhm @ 26A, 10V
La disipación de energía (máximo):52W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDB6030L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 48A (Ta) 52W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:48A (Ta)
Email:[email protected]

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