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CSD19532Q5BT
- Número de pieza:
- CSD19532Q5BT
- Fabricante:
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 100A VSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14241 Pieces
- Ficha de datos:
- CSD19532Q5BT.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CSD19532Q5BT, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CSD19532Q5BT por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-VSON (5x6) |
| Serie: | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.9 mOhm @ 17A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 3.1W (Ta), 195W (Tc) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres: | 296-44471-6 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CSD19532Q5BT |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4810pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 62nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 8-VSON (5x6) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 100A VSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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