español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > CSD19531Q5AT
CSD19531Q5AT
Número de pieza:
CSD19531Q5AT
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
16806 Pieces
Ficha de datos:
CSD19531Q5AT.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CSD19531Q5AT, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CSD19531Q5AT por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar CSD19531Q5AT con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-VSON (5x6)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:6.4 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.3W (Ta), 125W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:296-37749-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD19531Q5AT
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3870pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 100A (Ta) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de CSD19531Q5AT

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
CSD19538Q2T Texas Instruments MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON Investigación
CSD19537Q3T Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Investigación
CSD19534Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 50 8SON Investigación
CSD19533Q5AT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A VSONP Investigación
CSD19531Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8SON Investigación
CSD19536KTTT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Investigación
CSD19535KTTT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Investigación
CSD19536KTT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Investigación
CSD19534KCS Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A TO220 Investigación
CSD19534Q5AT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 50 8SON Investigación
CSD19532Q5B Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8SON Investigación
CSD19537Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Investigación
CSD19532KTT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 Investigación
CSD19536KCS Texas Instruments MOSFET N-CH 100V TO-220 Investigación
CSD19538Q3AT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 15A VSONP Investigación
CSD19535KTT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Investigación
CSD19531KCS Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Investigación
CSD19535KCS Texas Instruments MOSFET N-CH 100V TO-220 Investigación

Latest Noticias