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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > CSD19533Q5AT
CSD19533Q5AT
Número de pieza:
CSD19533Q5AT
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 100A VSONP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17675 Pieces
Ficha de datos:
CSD19533Q5AT.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-VSONP (5x6)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:9.4 mOhm @ 13A, 6V
La disipación de energía (máximo):3.2W (Ta), 96W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:296-44472-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:7 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD19533Q5AT
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2670pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 100A VSONP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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