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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > CSD19536KTTT
CSD19536KTTT
Número de pieza:
CSD19536KTTT
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15838 Pieces
Ficha de datos:
CSD19536KTTT.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DDPAK/TO-263-3
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.4 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo):375W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Otros nombres:296-41136-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):2 (1 Year)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD19536KTTT
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:153nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200A (Ta)
Email:[email protected]

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