FDB6021P
FDB6021P
Número de pieza:
FDB6021P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18324 Pieces
Ficha de datos:
FDB6021P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D²PAK (TO-263AB)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:30 mOhm @ 14A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):37W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDB6021P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1890pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:28nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 28A (Ta) 37W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:28A (Ta)
Email:[email protected]

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