SSM6J501NU,LF
SSM6J501NU,LF
Número de pieza:
SSM6J501NU,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17190 Pieces
Ficha de datos:
SSM6J501NU,LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-UDFNB (2x2)
Serie:U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs:15.3 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-WDFN Exposed Pad
Otros nombres:SSM6J501NU,LF(A
SSM6J501NU,LF(B
SSM6J501NU,LF(T
SSM6J501NULF
SSM6J501NULF(TTR
SSM6J501NULF(TTR-ND
SSM6J501NULFTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:SSM6J501NU,LF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:29.9nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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