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SSM6J503NU,LF(T
- Número de pieza:
- SSM6J503NU,LF(T
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14641 Pieces
- Ficha de datos:
- SSM6J503NU,LF(T.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SSM6J503NU,LF(T, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SSM6J503NU,LF(T por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-UDFNB (2x2) |
| Serie: | U-MOSVI |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 32.4 mOhm @ 3A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 1W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | SSM6J503NU,LF SSM6J503NU,LF(B SSM6J503NULF SSM6J503NULF(TTR SSM6J503NULFTR SSM6J503NULFTR-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SSM6J503NU,LF(T |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 840pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 12.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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