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SSM6J212FE,LF
- Número de pieza:
- SSM6J212FE,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 4A ES6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15848 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.SSM6J212FE,LF.pdf2.SSM6J212FE,LF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SSM6J212FE,LF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SSM6J212FE,LF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | ES6 |
| Serie: | U-MOSVI |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 500mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | SSM6J212FE(TE85L,F SSM6J212FE(TE85LFTR SSM6J212FE(TE85LFTR-ND SSM6J212FE,LF(CA SSM6J212FELF SSM6J212FELFTR SSM6J212FETE85LF |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SSM6J212FE,LF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 970pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 14.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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