STFI12N60M2
STFI12N60M2
Número de pieza:
STFI12N60M2
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12262 Pieces
Ficha de datos:
STFI12N60M2.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAKFP (TO-281)
Serie:MDmesh™ M2
RDS (Max) @Id, Vgs:450 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Otros nombres:497-16015-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:STFI12N60M2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:538pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 9A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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