SSM3K59CTB,L3F
SSM3K59CTB,L3F
Número de pieza:
SSM3K59CTB,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15658 Pieces
Ficha de datos:
SSM3K59CTB,L3F.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:CST3B
Serie:U-MOSVII-H
RDS (Max) @Id, Vgs:215 mOhm @ 1A, 8V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-SMD, No Lead
Otros nombres:SSM3K59CTB,L3F(A
SSM3K59CTBL3FTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:SSM3K59CTB,L3F
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:130pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1.1nC @ 4.2V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount CST3B
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 8V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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