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SSM3K318T,LF
- Número de pieza:
- SSM3K318T,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15742 Pieces
- Ficha de datos:
- SSM3K318T,LF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SSM3K318T,LF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SSM3K318T,LF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TSM |
| Serie: | U-MOSIV |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 107 mOhm @ 2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 700mW (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | SSM3K318TLFDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SSM3K318T,LF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 235pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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