SSM3K15FS,LF
SSM3K15FS,LF
Número de pieza:
SSM3K15FS,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14145 Pieces
Ficha de datos:
1.SSM3K15FS,LF.pdf2.SSM3K15FS,LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 100µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SSM
Serie:π-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs:4 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo):200mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-75, SOT-416
Otros nombres:SSM3K15FS(T5L,F,T)
SSM3K15FS(T5LFT)TR
SSM3K15FS(T5LFT)TR-ND
SSM3K15FS(TE85L,F)
SSM3K15FS(TE85LF)TR
SSM3K15FS(TE85LF)TR-ND
SSM3K15FS,LF(B
SSM3K15FS,LF(T
SSM3K15FSLFTR
SSM3K15FST5LFT
SSM3K15FST5LFTTR
SSM3K15FST5LFTTR-ND
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SSM3K15FS,LF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7.8pF @ 3V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SSM
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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