SSM3K17FU,LF
SSM3K17FU,LF
Número de pieza:
SSM3K17FU,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 0.1A USM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12848 Pieces
Ficha de datos:
SSM3K17FU,LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 1µA
Vgs (Max):±7V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:USM
Serie:π-MOSV
RDS (Max) @Id, Vgs:20 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo):150mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Otros nombres:SSM3K17FU,LF(B
SSM3K17FU,LF(T
SSM3K17FULFTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SSM3K17FU,LF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7pF @ 3V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 50V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:50V
Descripción:MOSFET N-CH 50V 0.1A USM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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