SSM3K56CT,L3F
SSM3K56CT,L3F
Número de pieza:
SSM3K56CT,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET NCH 20V 800MA CST3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14247 Pieces
Ficha de datos:
SSM3K56CT,L3F.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SSM3K56CT,L3F, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SSM3K56CT,L3F por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SSM3K56CT,L3F con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:CST3
Serie:U-MOSVII-H
RDS (Max) @Id, Vgs:235 mOhm @ 800mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):500mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-XFDFN
Otros nombres:SSM3K56CT,L3F(B
SSM3K56CT,L3F(T
SSM3K56CTL3FTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:SSM3K56CT,L3F
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:55pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 800mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET NCH 20V 800MA CST3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:800mA (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios