SSM3J36FS,LF
SSM3J36FS,LF
Número de pieza:
SSM3J36FS,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13329 Pieces
Ficha de datos:
1.SSM3J36FS,LF.pdf2.SSM3J36FS,LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SSM
Serie:U-MOSIII
RDS (Max) @Id, Vgs:1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):150mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-75, SOT-416
Otros nombres:SSM3J36FS (T5L,F,T)
SSM3J36FS(T5L,F,T)
SSM3J36FS(T5L,F,T)-ND
SSM3J36FS(T5LFT)TR
SSM3J36FS(T5LFT)TR-ND
SSM3J36FS,LF(B
SSM3J36FS,LF(T
SSM3J36FSLFTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:SSM3J36FS,LF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:43pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1.2nC @ 4V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:330mA (Ta)
Email:[email protected]

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