SSM3J334R,LF
SSM3J334R,LF
Número de pieza:
SSM3J334R,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18345 Pieces
Ficha de datos:
SSM3J334R,LF.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SSM3J334R,LF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SSM3J334R,LF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SSM3J334R,LF con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-23F
Serie:U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs:71 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-3 Flat Leads
Otros nombres:SSM3J334R,LF(B
SSM3J334R,LF(T
SSM3J334RLF
SSM3J334RLFTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:SSM3J334R,LF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5.9nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios