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SSM3J35MFV,L3F
- Número de pieza:
- SSM3J35MFV,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13877 Pieces
- Ficha de datos:
- SSM3J35MFV,L3F.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SSM3J35MFV,L3F, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SSM3J35MFV,L3F por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | VESM |
| Serie: | π-MOSVI |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 8 Ohm @ 50mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo): | 150mW (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | SOT-723 |
| Otros nombres: | SSM3J35MFV(TL3T)DKR SSM3J35MFV(TL3T)DKR-ND SSM3J35MFVL3FDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SSM3J35MFV,L3F |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 12.2pF @ 3V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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