SSM3J304T(TE85L,F)
Número de pieza:
SSM3J304T(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17456 Pieces
Ficha de datos:
SSM3J304T(TE85L,F).pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TSM
Serie:U-MOSIII
RDS (Max) @Id, Vgs:127 mOhm @ 1A, 4V
La disipación de energía (máximo):700mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:SSM3J304T(TE85LF)TR
SSM3J304TTE85LF
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SSM3J304T(TE85L,F)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:335pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.1nC @ 4V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 2.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.3A (Ta)
Email:[email protected]

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