SPD01N60C3BTMA1
SPD01N60C3BTMA1
Número de pieza:
SPD01N60C3BTMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17509 Pieces
Ficha de datos:
SPD01N60C3BTMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.9V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:6 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):11W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SP000012114
SP000307382
SPD01N60C3
SPD01N60C3-ND
SPD01N60C3INTR
SPD01N60C3INTR-ND
SPD01N60C3XT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SPD01N60C3BTMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 800mA (Tc) 11W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:800mA (Tc)
Email:[email protected]

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