IRFSL3207ZPBF
IRFSL3207ZPBF
Número de pieza:
IRFSL3207ZPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13997 Pieces
Ficha de datos:
IRFSL3207ZPBF.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRFSL3207ZPBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRFSL3207ZPBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IRFSL3207ZPBF con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:4.1 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:SP001552364
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRFSL3207ZPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6920pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:170nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:75V
Descripción:MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios