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APTM10UM01FAG
- Número de pieza:
- APTM10UM01FAG
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 860A SP6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19167 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.APTM10UM01FAG.pdf2.APTM10UM01FAG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APTM10UM01FAG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APTM10UM01FAG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 12mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SP6 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.6 mOhm @ 275A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2500W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SP6 |
| Otros nombres: | APTM10UM01FAGMI APTM10UM01FAGMI-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | APTM10UM01FAG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 60000pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2100nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 860A 2500W (Tc) Chassis Mount SP6 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 860A SP6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 860A |
| Email: | [email protected] |
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