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APTM10TDUM19PG
- Número de pieza:
- APTM10TDUM19PG
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13442 Pieces
- Ficha de datos:
- APTM10TDUM19PG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APTM10TDUM19PG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APTM10TDUM19PG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | SP6-P |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 21 mOhm @ 35A, 10V |
| Potencia - Max: | 208W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SP6 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | APTM10TDUM19PG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5100pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| Tipo FET: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A |
| Email: | [email protected] |
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