APTM10DAM05TG
Número de pieza:
APTM10DAM05TG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14349 Pieces
Ficha de datos:
1.APTM10DAM05TG.pdf2.APTM10DAM05TG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 5mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SP4
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5 mOhm @ 125A, 10V
La disipación de energía (máximo):780W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP4
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APTM10DAM05TG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:20000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:700nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 278A 780W (Tc) Chassis Mount SP4
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 278A SP4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:278A
Email:[email protected]

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