APTM10DHM09TG
Número de pieza:
APTM10DHM09TG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19784 Pieces
Ficha de datos:
APTM10DHM09TG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 2.5mA
Paquete del dispositivo:SP4
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 69.5A, 10V
Potencia - Max:390W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP4
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:APTM10DHM09TG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9875pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:350nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 139A 390W Chassis Mount SP4
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:139A
Email:[email protected]

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