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BSB012N03LX3 G
- Número de pieza:
- BSB012N03LX3 G
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15586 Pieces
- Ficha de datos:
- BSB012N03LX3 G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSB012N03LX3 G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSB012N03LX3 G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.2 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 3-WDSON |
| Otros nombres: | BSB012N03LX3 G-ND BSB012N03LX3G BSB012N03LX3GXUMA1 SP000597846 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | BSB012N03LX3 G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 16900pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 169nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 39A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 39A (Ta), 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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