BSB013NE2LXI
BSB013NE2LXI
Número de pieza:
BSB013NE2LXI
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12854 Pieces
Ficha de datos:
BSB013NE2LXI.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.3 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta), 57W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-WDSON
Otros nombres:BSB013NE2LXI-ND
BSB013NE2LXIXUMA1
SP000756346
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSB013NE2LXI
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4400pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:62nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 36A (Ta), 163A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:36A (Ta), 163A (Tc)
Email:[email protected]

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