BSB014N04LX3 G
BSB014N04LX3 G
Número de pieza:
BSB014N04LX3 G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12816 Pieces
Ficha de datos:
BSB014N04LX3 G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.4 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta), 89W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-WDSON
Otros nombres:BSB014N04LX3 G-ND
BSB014N04LX3GXUMA1
SP000597850
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSB014N04LX3 G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:16900pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:196nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:36A (Ta), 180A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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