Comprar RDD023N50TL con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | CPT3 |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 5.4 Ohm @ 1A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 20W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Otros nombres: | RDD023N50TLTR |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | RDD023N50TL |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 151pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 500V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 500V |
Descripción: | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Tc) |
Email: | [email protected] |