RDD022N50TL
RDD022N50TL
Número de pieza:
RDD022N50TL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 500V CPT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14467 Pieces
Ficha de datos:
RDD022N50TL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.7V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:CPT3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5.4 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo):20W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RDD022N50TL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:168pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V CPT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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