Comprar 2SK3820-DL-1E con BYCHPS
Compre con garantía
2SK3820-DL-1E
- Número de pieza:
- 2SK3820-DL-1E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 26A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18114 Pieces
- Ficha de datos:
- 2SK3820-DL-1E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2SK3820-DL-1E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2SK3820-DL-1E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-263-2 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 60 mOhm @ 13A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.65W (Ta), 50W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2SK3820-DL-1E |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2150pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 26A (Ta) 1.65W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263-2 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 26A |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 26A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 2SK3820-DL-1E
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
2SK3827 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 | Investigación |
 |
2SK3816-DL-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 40A | Investigación |
 |
2SK3820-DL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD | Investigación |
 |
2SK3816-DL-1EX | ON Semiconductor | MOSFET N-CH | Investigación |
|
2SK3821-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 40A SMP | Investigación |
|
2SK3824 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 | Investigación |
|
2SK3821-DL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD | Investigación |
|
2SK3826 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 26A TO-220 | Investigación |
 |
IPD90N10S406ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Investigación |
|
2SK3823 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 | Investigación |
|
2SK3816-DL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD | Investigación |
|
2SK3817-DL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 60A SMP-FD | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog