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IXTN210P10T
- Número de pieza:
- IXTN210P10T
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17245 Pieces
- Ficha de datos:
- IXTN210P10T.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTN210P10T, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTN210P10T por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-227B |
| Serie: | TrenchP™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 7.5 mOhm @ 105A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 830W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IXTN210P10T |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 69500pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 740nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 100V 210A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 210A |
| Email: | [email protected] |
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