SIB417DK-T1-GE3
SIB417DK-T1-GE3
Número de pieza:
SIB417DK-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14617 Pieces
Ficha de datos:
SIB417DK-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SC-75-6L Single
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:52 mOhm @ 5.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.4W (Ta), 13W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SC-75-6L
Otros nombres:SIB417DK-T1-GE3TR
SIB417DKT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SIB417DK-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:675pF @ 4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12.75nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 8V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:8V
Descripción:MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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