AOU3N60
AOU3N60
Número de pieza:
AOU3N60
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17814 Pieces
Ficha de datos:
1.AOU3N60.pdf2.AOU3N60.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-251-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.5 Ohm @ 1.25A, 10V
La disipación de energía (máximo):56.8W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:785-1182-5
Temperatura de funcionamiento:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOU3N60
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:370pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 2.5A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

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