español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTA1N100
IXTA1N100
IXTA1N100
Número de pieza:
IXTA1N100
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13551 Pieces
Ficha de datos:
IXTA1N100.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTA1N100, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTA1N100 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXTA1N100 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 25µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (IXTA)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:11 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo):54W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTA1N100
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:14.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 1.5A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.5A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXTA1N100

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXTA1N120P Image IXTA1N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263 Investigación
IXTA12N65X2 Image IXTA12N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 12A TO-263 Investigación
IXTA100N04T2 Image IXTA100N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 Investigación
IXTA130N10T7 Image IXTA130N10T7 IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7 Investigación
IXTA10P50P Image IXTA10P50P IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO-263 Investigación
IXTA1R4N100P Image IXTA1R4N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263 Investigación
IXTA130N065T2 Image IXTA130N065T2 IXYS MOSFET N-CH 65V 130A TO-263 Investigación
IXTA12N50P Image IXTA12N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK Investigación
IXTA15N50L2 Image IXTA15N50L2 IXYS MOSFET N-CH 500V 15A TO-263 Investigación
IXTA160N10T7 Image IXTA160N10T7 IXYS MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7 Investigación
IXTA1N100P Image IXTA1N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263 Investigación
IXTA1N170DHV Image IXTA1N170DHV IXYS MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263 Investigación
IXTA160N10T Image IXTA160N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 160A TO-263 Investigación
IXTA15P15T Image IXTA15P15T IXYS MOSFET P-CH 150V 15A TO-263 Investigación
IXTA120P065T Image IXTA120P065T IXYS MOSFET P-CH 65V 120A TO-263 Investigación
IXTA130N10T Image IXTA130N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-263 Investigación
IXTA1N80 Image IXTA1N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263 Investigación
IXTA120N075T2 Image IXTA120N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 120A TO-263 Investigación

Latest Noticias