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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTA12N65X2
IXTA12N65X2
IXTA12N65X2
Número de pieza:
IXTA12N65X2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18311 Pieces
Ficha de datos:
IXTA12N65X2.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263AA
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:300 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):180W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTA12N65X2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 12A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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