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IXTN21N100
- Número de pieza:
- IXTN21N100
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17878 Pieces
- Ficha de datos:
- IXTN21N100.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTN21N100, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTN21N100 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 500µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-227B |
| Serie: | MegaMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 550 mOhm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 520W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Número de pieza del fabricante: | IXTN21N100 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 8400pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 250nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 1000V (1kV) 21A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1000V (1kV) |
| Descripción: | MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 21A |
| Email: | [email protected] |
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