FDU068AN03L
FDU068AN03L
Número de pieza:
FDU068AN03L
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14877 Pieces
Ficha de datos:
FDU068AN03L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:IPAK (TO-251)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:5.7 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo):80W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDU068AN03L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2525pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 17A (Ta), 35A (Tc) 80W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

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