FQPF30N06L
FQPF30N06L
Número de pieza:
FQPF30N06L
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
20475 Pieces
Ficha de datos:
FQPF30N06L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220F
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:35 mOhm @ 11.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):38W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FQPF30N06L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1040pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 22.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:22.5A (Tc)
Email:[email protected]

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