BSC026N02KS G
BSC026N02KS G
Número de pieza:
BSC026N02KS G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17521 Pieces
Ficha de datos:
BSC026N02KS G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 200µA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.6 mOhm @ 50A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta), 78W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSC026N02KS G-ND
BSC026N02KS GTR
BSC026N02KSG
BSC026N02KSGAUMA1
SP000379664
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSC026N02KS G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7800pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:52.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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