BSC027N04LSGATMA1
BSC027N04LSGATMA1
Número de pieza:
BSC027N04LSGATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19972 Pieces
Ficha de datos:
BSC027N04LSGATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 49µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.7 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 83W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSC027N04LS G
BSC027N04LS G-ND
BSC027N04LS GTR
BSC027N04LS GTR-ND
BSC027N04LSG
SP000354810
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSC027N04LSGATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:85nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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